第一作者：沈佳伟

通讯作者：沈佳伟

发表期刊：Crystal Growth & Design

期刊 Impact Factor: 3.4 （中科院二区，JCR一区）

通讯单位：杭州师范大学

论文网址：//pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.cgd.4c01509

成果简介： 

高质量、无催化剂室温制备过渡金属二硫属化物一直是二维材料研究领域的目标。本文报道了一种通过在近室温条件下离子液体表面采用优化的低压化学气相沉积（LP-CVD）法高效合成高质量二硫化钨（WS₂）的方法。研究发现，在液体表面上可同时制备出单层至数层以及块状（三角形和六边形）的WS₂晶体。其中，三角形和六边形WS₂晶体的最概然尺寸分别为574.7±18.4 nm和399.3±41.0 nm。具有多重同心六边形结构的WS₂晶体的平均平台宽度约为35 nm。基于实验结果，我们提出了WS₂晶体的三阶段生长模型。该工作深化了对相关晶体生长机制的理解，并证明了采用液体基底制备晶体的优势。

本工作感谢杭州师范大学科研启动经费的资助。